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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,各種存儲(chǔ)器相繼推出,性能不斷提高。目前存儲(chǔ)器主要有以下幾種類(lèi)型:靜態(tài)RAM(SRAM),動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)EPROM,EEPROM，F(xiàn)LASH MEMORY。這里討論一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲(chǔ)器:非易失性SRAM(NVSRAM)。
 
為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問(wèn)題,國(guó)外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)也有同類(lèi)產(chǎn)品相繼問(wèn)世。面對(duì)眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶(hù)如何選擇質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的產(chǎn)品呢?建議用戶(hù)根據(jù)以下幾個(gè)性能指標(biāo)和價(jià)格進(jìn)行選擇:
 
一、保護(hù)數(shù)據(jù)的可靠性:指系統(tǒng)上、掉電期間NVSRAM是否被誤寫(xiě),這是NVSRAM最重要的一項(xiàng)性能指標(biāo)，也是用戶(hù)最關(guān)心而又難以在購(gòu)買(mǎi)時(shí)測(cè)試的。雖然各廠(chǎng)家都聲稱(chēng)自己的產(chǎn)品萬(wàn)無(wú)一失保護(hù)數(shù)據(jù),其實(shí)真正做到這一點(diǎn)的卻很少。大多數(shù)NVSRAM產(chǎn)品使用時(shí)會(huì)丟失數(shù)據(jù),給用戶(hù)帶來(lái)很多問(wèn)題和不便。這主要有以下幾個(gè)原因:上電無(wú)保護(hù)延時(shí),上電期間丟失數(shù)據(jù);掉電時(shí)主電源電壓下降快,保護(hù)電路不能快速將SRAM的供電從主電源切換到備用電池,或?qū)RAM的片選信號(hào)的封鎖不及時(shí)。
 
二、保護(hù)電壓:設(shè)置保護(hù)電壓主要是為了防止上.掉電期間數(shù)據(jù)的誤寫(xiě)。對(duì)于用戶(hù)來(lái)說(shuō),在完全可靠保護(hù)數(shù)據(jù)的前提下,保護(hù)電壓越低越好。
 
三、上電保護(hù)延時(shí):這是指系統(tǒng)上電時(shí)，當(dāng)VCC高于保護(hù)電壓時(shí),NV-SRAM延時(shí)多長(zhǎng)時(shí)間才可以訪(fǎng)問(wèn)。這個(gè)延時(shí)是必要的,因?yàn)閂CC高于保護(hù)電壓時(shí)系統(tǒng)不一定正常工作,有可能正處于復(fù)位狀態(tài)或不確定狀態(tài),極有可能誤定NVSRAM。NVSRAM內(nèi)部電路加以必要的保護(hù)延時(shí)可以有效地防止上電期間的誤寫(xiě)。用戶(hù)在使用NVSRAM時(shí)要注意產(chǎn)品的延時(shí)參數(shù)，系統(tǒng)工作時(shí)最好先測(cè)試一下NVSRAM是否已可以訪(fǎng)問(wèn);或在初始化程序中加一段延時(shí)程序。
 
四、使用溫度范圍:某些NVSRAM產(chǎn)品保護(hù)電壓會(huì)隨溫度變化而變化。如果使用NV-SRAM的系統(tǒng)要求的溫度范圍較大,則可以用以下辦法做簡(jiǎn)單測(cè)試:將NVSRAM放在冰箱速凍室半小時(shí)左右,再立即插人系統(tǒng)使用，測(cè)試系統(tǒng)能否正常讀寫(xiě)NV-SRAM。
 
五、訪(fǎng)問(wèn)速度:各類(lèi)NV-SRAM產(chǎn)品上都標(biāo)有訪(fǎng)問(wèn)速度，用戶(hù)可以根據(jù)自己應(yīng)用系統(tǒng)的要求進(jìn)行選擇。
 
六、功耗及使用壽命:國(guó)外產(chǎn)品都使用低功耗芯片,內(nèi)部控制電路在系統(tǒng)正常工作時(shí)電流小于1mA,系統(tǒng)掉電時(shí)切換到電池供電,此時(shí)的電流僅為100nA左右。NV-SRAM都使用鋰電池作后備電源,由于鋰電池自耗電極低，NVSRAM的使用壽命一般可到十年左右。
 
七、價(jià)格:總的來(lái)說(shuō),國(guó)外產(chǎn)品價(jià)格昂貴,國(guó)內(nèi)產(chǎn)品價(jià)格便宜,但是對(duì)于要丟失數(shù)據(jù)的芯片,即使價(jià)格再便宜,建議用戶(hù)也不要選用。

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本文標(biāo)題：如何選擇非易失性SRAM
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