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晶振布局布線-創(chuàng)新互聯(lián)

1.晶振的起振電容放在內(nèi)側(cè)還是外側(cè)?

就近放置內(nèi)側(cè)外側(cè)都可以,距離較遠(yuǎn)要放在內(nèi)側(cè)。但也不能保證能正常工作,晶振要優(yōu)先放置

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如果做法有問題,那還不如不做。
鋪銅一般就是在晶體或晶振外表層鋪地,不與同層其他地相連,然后需要在晶振或晶體的周圍打地過孔,使表層與中間層的地平面相連。
包地就是用線沿著晶振走一圈,間隔一段距離就打過孔,把晶振部分電路圍起來
我個人的習(xí)慣是不鋪地不打過孔,原因是:
1.晶振的頻率不高
2.晶振周圍比較空,距離其他線比較遠(yuǎn)
3.包地和鋪銅都需要去修整,比較麻煩,而且做不好的話,還不如不做效果好

3.晶體或晶振下方是否不能走線

晶振同層下方一定不能走線
如果臨層有地平面隔離,那么晶振的隔層開始就可以走線了,基本不會受什么影響,注意如果走線的話也是走直線,盡量不要有拐彎,一定要避免U型和環(huán)路的走法
晶振跟晶體下方所有層都不能有銅,這種說法主要是考慮到了晶振的溫度特性,避免溫度影響晶振頻率

4.晶振放背面過孔連接

晶振放在單片機(jī)背面,通過過孔連接單片機(jī),對晶振信號會有一定影響。如果晶振頻率6M以下,影響微乎其微;如果晶振頻率在6-20M之間,影響也不是太大;如果晶振頻率大于20M,盡量不要采取這種方式。
我曾實際使用過這種方法,晶振頻率12M,沒發(fā)現(xiàn)有影響。注意引線不要太長!

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